LEISTUNGSHALBLEITER HITACHI ENERGY

„In den hohen Spannungsklassen setze ich gerne die Halbleiter von Hitachi Energy ein. Das Portfolio bietet in diesem Bereich eine außergewöhnlich breite Auswahl und überzeugt mich immer wieder durch seine Langlebigkeit.“ Christoph Bergold In den über 25 Jahren unserer Zusammenarbeit haben wir viele Produktgenerationen unseres Herstellerpartners kennengerlernt, gestestet, in unseren eigenen Entwicklungen eingesetzt und empfohlen. So ist ein umfassendes Praxiswissen entstanden, dass wir unseren Kunden gerne zur Verfügung stellen. Hitachi Energy bietet eines der vielfältigsten Halbleiterangebote am Markt, darunter Thyristoren, Dioden, GTOs, IGCTs und IGBTs, die in den Werken in Lenzburg (Schweiz) und Prag (Tschechische Republik) hergestellt werden. Das weltweit führende Technologieunternehmen mit einer 250-jährigen Geschichte beschäftigt rund 36.000 Mitarbeiter in 90 Ländern. Unsere Empfehlung: IGBT 1700 V - 6500 V / 150 A - 3600 A IGCT 4500 V - 6500 V / 1290 A - 2100 A GTO 2500 V - 4500 V / 600 A - 4000 A Schnelle Dioden 2500 V - 6000 V / 170 A - 2620 A Thyristoren 1800 V - 8500 V / 440A - 6100 A Schnelle Thyristoren 1200 V - 3000 V / 520 A - 2670 A Dioden 200 V - 6000 V / 662 A - 13500 A Wir beraten Sie gerne.